Newsletter-Autunno 2024
Con lo sviluppo rapido delle tecnologie di intelligenza artificiale, l'industria è in fermento con importanti sviluppi legati all'IA - come il lancio delle piattaforme di supercomputer AI da parte di Jensen Huang e l'introduzione di robot domestici da parte di Elon Musk. L'umanità sta entrando in una nuova era in cui coesistiamo strettamente con le macchine e potremmo presto diventare completamente dipendenti da esse.
Per dare vita a questi dispositivi intelligenti, è essenziale una fornitura di energia verde stabile e sostenibile. Pertanto, accelerare lo sviluppo di fonti energetiche diverse è diventato un compito urgente e critico.
FIRSTOHM è da tempo profondamente coinvolta nelle applicazioni industriali e nelle soluzioni di energia verde, con una solida pianificazione dei prodotti e presenza sul mercato. In questo numero, condividiamo aggiornamenti sui nostri ultimi sforzi e progressi nelle applicazioni di energia verde.
Electronica 2024 a Delhi e Monaco
★ 11–13 Settembre 2024: electronica India
Luogo: India Expo Centre, Greater Noida, Delhi NCR, India
Numero Stand: H10.G61 (Padiglione 10, Stand G61)
★ 12–15 Novembre 2024: electronica Monaco, Germania
Produzione annuale stimata di energia solare: 350.747 kWh, equivalente al consumo elettrico annuale di circa 100 famiglie a Taiwan.
★ Profilo Aziendale e Catalogo Prodotti Aggiornati nel 2024 Rilasciati il 30 Giugno
★I Vantaggi Tecnici dei Resistori MELF nelle Applicazioni dei Resistori di Gate IGBT
L'IGBT (Transistor Bipolare a Porta Isolata) è un dispositivo semiconduttore di potenza che combina l'alta impedenza di ingresso dei MOSFET con la bassa tensione di conduzione dei BJT, rendendolo ampiamente utilizzato nell'elettronica di potenza. La resistenza di gate (Rg) è un componente cruciale nel circuito di pilotaggio del gate dell'IGBT, controllando principalmente la velocità di commutazione e riducendo il rumore di commutazione.
La selezione del resistore di gate è fondamentale per garantire il funzionamento stabile e l'affidabilità a lungo termine dell'IGBT. In questa applicazione, i resistori MELF dimostrano diversi vantaggi tecnici significativi:
• Bassa Induttanza e Capacitance Parassitaria: I resistori MELF hanno un'induttanza e una capacitance parassitaria eccezionalmente basse, che sono cruciali per l'integrità del segnale nelle applicazioni di commutazione ad alta velocità. Questo basso effetto parassitario aiuta a ridurre la distorsione del segnale durante la commutazione, migliorando così le prestazioni complessive del sistema.
• Alta Stabilità e Resistenza alla Temperatura: L'alta stabilità e resistenza alla temperatura dei resistori MELF consentono loro di mantenere un valore di resistenza costante anche in ambienti ad alta densità di potenza e condizioni operative estreme. Questo garantisce che l'IGBT possa gestire elevate potenze e stress termico, assicurando l'affidabilità e la longevità del circuito.
• Manifattura di precisione e eccellente coefficiente di temperatura: Queste caratteristiche consentono un controllo preciso della tensione di gate, contribuendo a migliorare l'efficienza di commutazione, ridurre le perdite di potenza e migliorare l'efficienza energetica complessiva del sistema.
In sintesi, i resistori MELF offrono una soluzione ideale per le applicazioni di resistori di gate IGBT, grazie ai loro effetti parassiti ridotti, stabilità ad alta temperatura e controllo preciso della resistenza. Le soluzioni di FIRSTOHM per i MELF resistor soddisfano le elevate esigenze di prestazioni e affidabilità dell'industria dell'elettronica di potenza di oggi, aiutandoti a rimanere avanti nella competizione tecnica.
※Applicazioni:
1. Veicoli Elettrici
2. Inverter Solari
3. Stazioni di Ricarica
4. Sistemi di Accumulo Energetico
5. Alimentatori Industriali
※Consigliare i resistori MELF:
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Novità da FIRSTOHM - Autunno 2024
Il vantaggio dell'uso dei resistori MELF per i resistori di gate IGBT
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