Boletín-Otoño 2024
Con el rápido desarrollo de las tecnologías de inteligencia artificial, la industria ha estado llena de importantes avances relacionados con la IA, como el lanzamiento de plataformas de supercomputadoras de IA por parte de Jensen Huang y la introducción de robots domésticos por parte de Elon Musk. La humanidad está entrando en una nueva era donde coexistimos estrechamente con las máquinas, y pronto podríamos llegar a depender completamente de ellas.
Para dar vida verdaderamente a estos dispositivos inteligentes, es esencial un suministro de energía verde estable y sostenible. Por lo tanto, acelerar el desarrollo de diversas fuentes de energía se ha convertido en una tarea urgente y crítica.
FIRSTOHM ha estado profundamente involucrado en aplicaciones industriales y soluciones de energía verde, con una sólida planificación de productos y presencia en el mercado. En este número, compartimos actualizaciones sobre nuestros últimos esfuerzos y avances en aplicaciones de energía verde.
Electronica 2024 en Delhi y Múnich
★ 11–13 de septiembre de 2024: electronica India
Ubicación: India Expo Centre, Greater Noida, Delhi NCR, India
Número de Stand: H10.G61 (Sala 10, Stand G61)
★ 12–15 de noviembre de 2024: electronica Múnich, Alemania
Generación anual estimada de energía solar: 350,747 kWh, equivalente al consumo eléctrico anual de aproximadamente 100 hogares en Taiwán.
★ Perfil de Empresa y Catálogo de Productos Actualizado 2024 Lanzado el 30 de junio
★Las Ventajas Técnicas de los Resistores MELF en Aplicaciones de Resistores de Puerta IGBT
IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) es un dispositivo semiconductor de potencia que combina la alta impedancia de entrada de los MOSFET con el bajo voltaje de conducción de los BJT, lo que lo hace ampliamente utilizado en electrónica de potencia. La resistencia de puerta (Rg) es un componente crucial en el circuito de control de puerta del IGBT, controlando principalmente la velocidad de conmutación y reduciendo el ruido de conmutación.
La selección de la resistencia de compuerta es crítica para garantizar el funcionamiento estable y la fiabilidad a largo plazo del IGBT. En esta aplicación, las resistencias MELF demuestran varias ventajas técnicas significativas:
• Baja Inductancia y Capacitancia Parásitas: Los resistores MELF tienen una inductancia y capacitancia parásitas excepcionalmente bajas, que son cruciales para la integridad de la señal en aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Este bajo efecto parásito ayuda a reducir la distorsión de la señal durante la conmutación, mejorando así el rendimiento general del sistema.
• Alta estabilidad y resistencia a la temperatura: La alta estabilidad y resistencia a la temperatura de los resistores MELF les permite mantener un valor de resistencia constante incluso en densidades de potencia altas y entornos de operación extremos. Esto asegura que el IGBT pueda manejar altas potencias y estrés térmico, garantizando la fiabilidad y longevidad del circuito.
• Fabricación de precisión y excelente coeficiente de temperatura: Estas características permiten un control preciso del voltaje de compuerta, ayudando a mejorar la eficiencia de conmutación, reducir la pérdida de energía y mejorar la eficiencia energética general del sistema.
En resumen, los resistores MELF ofrecen una solución ideal para aplicaciones de resistores de puerta IGBT, gracias a sus bajos efectos parasitarios, alta estabilidad a temperaturas y control preciso de la resistencia. Las soluciones de FIRSTOHM de MELF resistor cumplen con las demandas de alto rendimiento y fiabilidad de la industria de la electrónica de potencia actual, ayudándote a mantenerte a la vanguardia en la competencia técnica.
※Aplicaciones:
1. Vehículos eléctricos
2. Inversores solares
3. Estaciones de carga
4. Sistemas de almacenamiento de energía
5. Fuentes de alimentación industriales
※Recomendar resistencias MELF:
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Novedades en FIRSTOHM - Otoño 2024
La ventaja de usar resistores MELF para resistores de puerta IGBT
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