Newsletter-Herbst 2024
Mit der rasanten Entwicklung der Technologien der künstlichen Intelligenz ist die Branche von bedeutenden KI-bezogenen Entwicklungen geprägt - wie zum Beispiel der Einführung von KI-Supercomputer-Plattformen durch Jensen Huang und der Vorstellung von Haushaltsrobotern durch Elon Musk. Die Menschheit tritt in eine neue Ära ein, in der wir eng mit Maschinen zusammenleben und möglicherweise bald vollständig von ihnen abhängig werden.
Um diese intelligenten Geräte wirklich zum Leben zu erwecken, ist eine stabile und nachhaltige grüne Energieversorgung unerlässlich. Daher ist die Beschleunigung der Entwicklung vielfältiger Energiequellen zu einer dringenden und kritischen Aufgabe geworden.
FIRSTOHM ist seit langem tief in industrielle Anwendungen und grüne Energielösungen involviert, mit solider Produktplanung und Marktpräsenz. In dieser Ausgabe teilen wir Neuigkeiten über unsere neuesten Bemühungen und Fortschritte in den Anwendungen der grünen Energie.
Electronica 2024 in Delhi und München
★ 11.–13. September 2024: electronica Indien
Standort: India Expo Center, Greater Noida, Delhi NCR, Indien
Standnummer: H10.G61 (Halle 10, Stand G61)
★ 12.–15. November 2024: electronica München, Deutschland
Geschätzte jährliche Solarstromerzeugung: 350.747 kWh, was dem jährlichen Stromverbrauch von etwa 100 Haushalten in Taiwan entspricht.
★ Aktualisiertes Unternehmensprofil und Produktkatalog 2024 am 30. Juni veröffentlicht
★Die technischen Vorteile von MELF-Widerständen in IGBT-Gate-Widerstands-Anwendungen
IGBT (Isolierter Gate-Bipolartransistor) ist ein Leistungshalbleiterbauelement, das die hohe Eingangsimpedanz von MOSFETs mit der niedrigen Durchlassspannung von BJTs kombiniert, was es in der Leistungselektronik weit verbreitet macht. Der Gate-Widerstand (Rg) ist eine entscheidende Komponente im IGBT-Gate-Ansteuerschaltkreis, der hauptsächlich die Schaltgeschwindigkeit steuert und das Schaltgeräusch reduziert.
Die Auswahl des Gate-Widerstands ist entscheidend für den stabilen Betrieb und die langfristige Zuverlässigkeit des IGBT. In dieser Anwendung zeigen MELF-Widerstände mehrere bedeutende technische Vorteile:
• Niedrige parasitäre Induktivität und Kapazität: MELF-Widerstände haben eine außergewöhnlich niedrige parasitäre Induktivität und Kapazität, die für die Signalintegrität in Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen entscheidend sind. Dieser niedrige parasitäre Effekt hilft, Signalverzerrungen während des Schaltens zu reduzieren, wodurch die Gesamtleistung des Systems verbessert wird.
• Hohe Stabilität und Temperaturbeständigkeit: Die hohe Stabilität und Temperaturbeständigkeit von MELF-Widerständen ermöglichen es ihnen, einen konstanten Widerstandswert selbst bei hoher Leistungsdichte und extremen Betriebsbedingungen aufrechtzuerhalten. Dies stellt sicher, dass der IGBT hohe Leistung und thermische Belastung bewältigen kann, was die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit der Schaltung gewährleistet.
• Präzisionsfertigung und hervorragender Temperaturkoeffizient: Diese Merkmale ermöglichen eine präzise Steuerung der Gate-Spannung, was dazu beiträgt, die Schalt-effizienz zu verbessern, den Energieverlust zu reduzieren und die gesamte Energieeffizienz des Systems zu steigern.
Zusammenfassend bieten MELF-Widerstände eine ideale Lösung für IGBT-Gate-Widerstands-Anwendungen, dank ihrer geringen parasitären Effekte, hohen Temperaturstabilität und präzisen Widerstandskontrolle. FIRSTOHM’s MELF resistor-Lösungen erfüllen die Anforderungen an hohe Leistung und Zuverlässigkeit der heutigen Leistungselektronikindustrie und helfen Ihnen, im technischen Wettbewerb einen Schritt voraus zu sein.
※Anwendungen:
1. Elektrofahrzeuge
2. Solarwechselrichter
3. Ladestationen
4. Energiespeichersysteme
5. Industrielle Stromversorgungen
※Empfehlen Sie MELF-Widerstände:
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Neuigkeiten bei FIRSTOHM - Herbst 2024
Der Vorteil der Verwendung von MELF-Widerständen für IGBT-Gate-Widerstände
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