ニュースレター - 2024年秋
人工知能技術の急速な発展に伴い、業界はジェンセン・フアンのAIスーパーコンピュータプラットフォームの立ち上げやイーロン・マスクの家庭用ロボットの導入など、主要なAI関連の進展で賑わっています。人類は機械と密接に共存する新しい時代に突入しており、まもなく完全にそれらに依存するようになるかもしれません。
これらのインテリジェントデバイスを真に活かすためには、安定した持続可能なグリーンエネルギー供給が不可欠です。したがって、多様なエネルギー源の開発を加速することが緊急かつ重要な課題となっています。
FIRSTOHMは、長年にわたり産業用途やグリーンエネルギーソリューションに深く関与しており、確固たる製品計画と市場での存在感を持っています。本号では、グリーンエネルギーアプリケーションにおける最新の取り組みと進展を共有します。
デリーとミュンヘンでの電子機器見本市2024
★2024年9月11日～13日：電子機器見本市インディア
場所：インディアエキスポセンター、グレーター・ノイダ、デリーNCR、インド
ブース番号：H10.G61（ホール10、ブースG61）
★2024年11月12日～15日：電子機器見本市ミュンヘン、ドイツ
推定年間太陽光発電量：350,747 kWh、台湾の約100世帯の年間電力使用量に相当します。
★2024年更新の会社プロフィールと製品カタログが6月30日にリリースされました
★IGBTゲート抵抗アプリケーションにおけるMELF抵抗の技術的利点
IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、MOSFETの高入力インピーダンスとBJTの低導通電圧を組み合わせたパワー半導体デバイスであり、パワーエレクトロニクスで広く使用されています。ゲート抵抗（Rg）はIGBTゲートドライブ回路の重要なコンポーネントであり、主にスイッチング速度を制御し、スイッチングノイズを低減します。
ゲート抵抗の選定は、IGBTの安定した動作と長期的な信頼性を確保するために重要です。このアプリケーションでは、MELF抵抗がいくつかの重要な技術的利点を示しています:
• 低寄生インダクタンスとキャパシタンス：MELF抵抗器は、非常に低い寄生インダクタンスとキャパシタンスを持ち、高速スイッチングアプリケーションにおける信号の完全性にとって重要です。この低寄生効果は、スイッチング中の信号歪みを減少させ、全体的なシステム性能を向上させます。
• 高い安定性と温度耐性：MELF抵抗器の高い安定性と温度耐性により、高い電力密度や過酷な動作環境でも一貫した抵抗値を維持できます。これにより、IGBTは高い電力と熱ストレスに対応でき、回路の信頼性と長寿命を確保します。
• 精密製造と優れた温度係数：これらの特徴により、ゲート電圧の精密な制御が可能になり、スイッチング効率の向上、電力損失の削減、全体的なシステムエネルギー効率の向上が図れます。
要約すると、MELF抵抗器は、低い寄生効果、高温安定性、正確な抵抗制御のおかげで、IGBTゲート抵抗器アプリケーションに理想的なソリューションを提供します。FIRSTOHMのMELF resistorソリューションは、今日のパワーエレクトロニクス業界の高性能と信頼性の要求を満たし、技術競争で先を行く手助けをします。
※用途:
1. 電気自動車
2. 太陽光インバーター
3. 充電ステーション
4. エネルギー貯蔵システム
5. 産業用電源
※MELF抵抗器を推奨します:
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