Boletim-Outono 2024
Com o rápido desenvolvimento das tecnologias de inteligência artificial, a indústria tem estado agitada com grandes avanços relacionados à IA - como o lançamento das plataformas de supercomputadores de IA por Jensen Huang e a introdução de robôs domésticos por Elon Musk. A humanidade está entrando em uma nova era onde coexistimos de perto com as máquinas e, em breve, podemos nos tornar totalmente dependentes delas.
Para realmente dar vida a esses dispositivos inteligentes, um fornecimento de energia verde estável e sustentável é essencial. Portanto, acelerar o desenvolvimento de diversas fontes de energia se tornou uma tarefa urgente e crítica.
FIRSTOHM tem estado profundamente envolvida em aplicações industriais e soluções de energia verde, com um planejamento de produtos sólido e presença no mercado. Nesta edição, compartilhamos atualizações sobre nossos últimos esforços e progressos em aplicações de energia verde.
Electronica 2024 em Delhi e Munique
★ 11 a 13 de Setembro de 2024: electronica Índia
Localização: India Expo Center, Greater Noida, Delhi NCR, Índia
Número do Estande: H10.G61 (Pavilhão 10, Estande G61)
★ 12 a 15 de Novembro de 2024: electronica Munique, Alemanha
Geração anual estimada de energia solar: 350.747 kWh, equivalente ao consumo anual de eletricidade de aproximadamente 100 residências em Taiwan.
★ Perfil da Empresa e Catálogo de Produtos Atualizados de 2024 Lançados em 30 de Junho
★As Vantagens Técnicas dos Resistores MELF em Aplicações de Resistores de Gate IGBT
IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) é um dispositivo semicondutor de potência que combina a alta impedância de entrada dos MOSFETs com a baixa tensão de condução dos BJTs, tornando-o amplamente utilizado em eletrônica de potência. O resistor de porta (Rg) é um componente crucial no circuito de acionamento da porta do IGBT, controlando principalmente a velocidade de comutação e reduzindo o ruído de comutação.
A seleção do resistor de porta é crítica para garantir a operação estável e a confiabilidade a longo prazo do IGBT. Nesta aplicação, os resistores MELF demonstram várias vantagens técnicas significativas:
• Baixa Indutância e Capacitância Parasitárias: Os resistores MELF têm indutância e capacitância parasitárias excepcionalmente baixas, que são cruciais para a integridade do sinal em aplicações de comutação de alta velocidade. Esse baixo efeito parasitário ajuda a reduzir a distorção do sinal durante a comutação, melhorando assim o desempenho geral do sistema.
• Alta Estabilidade e Resistência à Temperatura: A alta estabilidade e resistência à temperatura dos resistores MELF permitem que eles mantenham um valor de resistência consistente mesmo em densidades de potência elevadas e ambientes operacionais extremos. Isso garante que o IGBT possa lidar com alta potência e estresse térmico, assegurando a confiabilidade e a longevidade do circuito.
• Fabricação de Precisão e Excelente Coeficiente de Temperatura: Essas características permitem um controle preciso da tensão de porta, ajudando a melhorar a eficiência de comutação, reduzir a perda de energia e aumentar a eficiência energética geral do sistema.
Em resumo, os resistores MELF oferecem uma solução ideal para aplicações de resistores de gate IGBT, graças aos seus baixos efeitos parasitas, alta estabilidade térmica e controle preciso de resistência. As soluções de resistores MELF da FIRSTOHM atendem às demandas de alto desempenho e confiabilidade da indústria de eletrônica de potência de hoje, ajudando você a se manter à frente na competição técnica.
※Aplicações:
1. Veículos Elétricos
2. Inversores Solares
3. Estações de Carregamento
4. Sistemas de Armazenamento de Energia
5. Fontes de Alimentação Industriais
※Recomendar Resistores MELF:
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Novidades em FIRSTOHM - Outono 2024
A vantagem de usar resistores MELF para resistores de Gate IGBT
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