
Bulletin-Automne 2024
Avec le développement rapide des technologies d'intelligence artificielle, l'industrie est en effervescence avec d'importants développements liés à l'IA - comme le lancement par Jensen Huang de plateformes de superordinateurs IA et l'introduction par Elon Musk de robots domestiques. L'humanité entre dans une nouvelle ère où nous coexistons étroitement avec les machines, et nous pourrions bientôt en devenir entièrement dépendants.
Pour donner vie à ces dispositifs intelligents, un approvisionnement en énergie verte stable et durable est essentiel. Par conséquent, accélérer le développement de sources d'énergie diversifiées est devenu une tâche urgente et critique.
FIRSTOHM est depuis longtemps profondément impliqué dans les applications industrielles et les solutions d'énergie verte, avec une planification de produit solide et une présence sur le marché. Dans ce numéro, nous partageons des mises à jour sur nos derniers efforts et progrès dans les applications d'énergie verte.
★ 11–13 septembre 2024 : electronica India
Emplacement: India Expo Center, Greater Noida, Delhi NCR, Inde
Numéro de stand : H10.G61 (Hall 10, Stand G61)
★ 12–15 novembre 2024 : electronica Munich, Allemagne
Production annuelle estimée d'énergie solaire : 350 747 kWh, équivalent à la consommation électrique annuelle d'environ 100 foyers à Taïwan.
★ Profil d'entreprise et catalogue de produits mis à jour en 2024, publié le 30 juin
★ Les avantages techniques des résistances MELF dans les applications de résistances de porte IGBT
L'IGBT (Transistor Bipolaire à Grille Isolée) est un dispositif semi-conducteur de puissance qui combine la haute impédance d'entrée des MOSFET avec la faible tension de conduction des BJT, ce qui le rend largement utilisé dans l'électronique de puissance. La résistance de grille (Rg) est un composant crucial dans le circuit de commande de la grille de l'IGBT, contrôlant principalement la vitesse de commutation et réduisant le bruit de commutation.
La sélection de la résistance de porte est essentielle pour garantir le fonctionnement stable et la fiabilité à long terme de l'IGBT. Dans cette application, les résistances MELF présentent plusieurs avantages techniques significatifs :
• Faible inductance et capacité parasitaires : Les résistances MELF ont une inductance et une capacité parasitaires exceptionnellement faibles, ce qui est crucial pour l'intégrité du signal dans les applications de commutation à haute vitesse. Cet effet parasitaire faible aide à réduire la distorsion du signal lors de la commutation, améliorant ainsi les performances globales du système.
• Haute stabilité et résistance à la température : La haute stabilité et la résistance à la température des résistances MELF leur permettent de maintenir une valeur de résistance constante même dans des environnements à haute densité de puissance et à des conditions de fonctionnement extrêmes. Cela garantit que l'IGBT peut supporter une forte puissance et un stress thermique, assurant ainsi la fiabilité et la longévité du circuit.
• Fabrication de précision et excellent coefficient de température : Ces caractéristiques permettent un contrôle précis de la tension de seuil, contribuant à améliorer l'efficacité de commutation, à réduire les pertes d'énergie et à améliorer l'efficacité énergétique globale du système.
En résumé, les résistances MELF offrent une solution idéale pour les applications de résistances de porte IGBT, grâce à leurs faibles effets parasites, leur stabilité à haute température et leur contrôle précis de la résistance. Les solutions de FIRSTOHM en MELF resistor répondent aux exigences de haute performance et de fiabilité de l'industrie électronique de puissance d'aujourd'hui, vous aidant à rester en avance dans la compétition technique.

※Applications :
1. Véhicules électriques
2. Onduleurs solaires
3. Stations de charge
4. Systèmes de stockage d'énergie
5. Alimentation électrique industrielle
※Recommandation : Résistances MELF :

- Télécharger
Quoi de neuf chez FIRSTOHM - Automne 2024
L'avantage d'utiliser des résistances MELF pour les résistances de porte IGBT
Télécharger- Produits connexes
Résistance à film métallique MELF resistor (0,25W 1 ohm 5% 50PPM)
MM204J1R00TKRTR3K0
La résistance à film métallique MELF resistor (MM204) évaluée à 0,25W 1 ohm 5% 50PPM est une structure activée en SMD fabriquée par technologie...
Détails Ajouter à la listeFilm métallique MELF resistor (0,25W 10ohm 1% 25PPM)
MM204F10R0TKQTR3K0
Le film métallique MELF resistor (MM204) classé à 0,25W 10 ohm 1% 25PPM est une structure compatible SMD fabriquée par technologie de film mince. La dimension...
Détails Ajouter à la listeRésistance MELF à film stabilisé de 0,4 W 47 ohms 1% 50PPM
SFP204F47R0TKRTR3K0
Résistance MELF à film stabilisé de 0,4 W 47 ohms 1% 50PPM, conçue avec un film conducteur spécial et un boîtier MELF qui peut résister aux surtensions...
Détails Ajouter à la listeRésistance MELF à film stabilisé (0,4W 51,1ohm 1% 50PPM)
SFP204F51R1TKRTR3K0
Résistance MELF à film stabilisé (0,4W 51,1ohm 1% 50PPM), conçue avec un film conducteur spécial et un boîtier MELF qui peut résister aux surtensions...
Détails Ajouter à la liste


