2025年春季電子報
隨著人工智慧技術的迅速發展，近期產業界頻繁傳出與 AI 相關的重大新聞，例如黃仁勳推出的AI超級電腦平台、馬斯克打造的家庭機器人等。人類即將邁入與機器高度共存的社會，甚至可以說是全面依賴機器運作的未來。而要讓這些智慧裝置真正「動起來」，穩定且永續的綠色能源供應將是關鍵。因此，加速開發多元能源來源，成為當前刻不容緩的重要任務。
第一電阻長期深耕工業應用與綠能領域，擁有堅實的產品佈局與市場基礎。本期電子報將帶您深入了解我們在綠色能源應用上的最新動態與努力。
2025年上海慕尼黑電子展
★ 2025年4月15日~4月17日 慕尼黑上海電子展
地點：上海新國際博覽中心(上海浦東)
展位號碼：N2-1211 (N2館，1211號展位)
誠摯邀請您蒞臨現場，與我們交流更多專業與創新！
★全新升級【下載中心】正式上線！
為了讓客戶查詢資料更便利，我們全面優化了公司網站的「下載中心」。常見需求如：
• 禁用物質宣告（RoHS/REACH/TSCA/POP/PFAS/Halogen-Free）
• 礦產衝突聲明(CMRT/EMRT)
• 未開封產品保存期限
以上資料已整合上架，讓您能隨時即時下載所需資訊。如有未列資料，亦歡迎各位先進不吝指教！
★國家再生能源憑證認證通過
第一電阻花蓮吉安廠導入太陽能發電，並獲得**經濟部標準檢驗局「國家再生能源憑證」**認證。預估年發電量達 350,747 度，相當於台灣約 100戶家庭一整年的平均用電量。我們持續以實際行動支持能源轉型與碳中和目標。
★MELF洩放電阻應用與解決方案
在電源設備如電源模組、逆變器、儲能系統等應用中，洩放電阻(Discharge Resistor)的主要功能是當設備斷電後，快速釋放儲存在電容或電路中的殘餘電荷，避免觸電風險與誤動作，確保設備與人員安全。此元件在系統維護與電氣防護中扮演關鍵角色。目前業界普遍採用多顆 R-chip（厚膜貼片電阻）透過串並聯方式來實現所需的功率與耐壓等級。然而此作法在實際應用中存在以下問題：
1.元件數量多：為達到所需總功率與耐壓，需使用多顆電阻串並聯，不利於空間設計
2.組裝複雜度高：增加 BOM 複雜度與貼片焊接次數，進而影響製程良率
3.系統可靠性降低：任一顆電阻失效即可能影響整體洩放功能，難以確保長期穩定運作
※優化方案建議：使用SRM / SWM系列MELF電阻
為提升設計簡化與系統可靠性，建議改採 Firstohm 推出的 SRM 或 SWM 系列 MELF 電阻。該系列產品具備高功率密度與抗脈衝/浪湧特性，可有效取代多顆 R-chip 組合。MELF電阻優勢包括：
1. 高功率密度：體積精巧卻能承受較高功率，減少使用數量與節省 PCB 空間。
2. 優異的脈衝／浪湧耐受能力：設計專為高能量釋放而優化，特別適用於預充與泄放應用。
3. 自動化貼裝友善：MELF 封裝適用於 SMT 製程，提高產線效率與一致性。
4. 高可靠性：具優良的熱穩定性與長期耐久性能，適合長時間運作設備。
※實際成功案例分享
Project: 電動車 PDU (OBC 放電應用)放電條件: 1000V -> 60V (1秒內), 電容值: 210uF
原本方案: 使用 20pcs 1Kohm 1206 R-Chip (5串4並)
改善方案: 採用 SWM200 2W 1Kohm 5 二串二並，已成功取代原本用 20PCS R-Chip
在現代高效能電源應用中，對高功率承受能力、空間節省、長期穩定性與製程效率的要求日益提升。傳統 R-chip 多顆串並聯的作法，已難以兼顧可靠性與成本效益。Firstohm SRM / SWM 系列 MELF 電阻具備高功率密度與卓越抗突波性能，是理想的洩放電阻解決方案，能有效簡化設計、降低成本並提升整體系統可靠度，為工程師提供更優化的選擇。
📞 如需技術選型建議或樣品支援，歡迎聯絡第一電阻 Firstohm 技術服務團隊。
★2024年9月11日~9月13日 慕尼黑印度電子展
在慕尼黑印度電子展期間，第一電阻不僅更加深入了解客戶的實際需求，也有機會與來自不同地區的代理商建立更緊密的連結。我們也衷心感謝所有蒞臨展位的朋友與合作夥伴，期盼未來有更多合作契機，共同推動 MELF 電阻在印度市場的應用與成長。
感謝您再次抽空閱讀本期電子報。如有任何疑問，請隨時與我們的專任業務代表聯繫，或透過公司信箱 qrc@Firstohm.com與我們聯繫！
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抗突波膜層晶圓電阻 2W 2Kohm 5%
SRM201J2K00TKZTR2K5
抗突波膜層晶圓電阻2W 2Kohm 5%採用薄膜技術設計，具有出色的抗浪湧能力，受益於MELF封裝，它的散熱性極佳。通過AEC-Q200認證，抗硫化。它是任何其他浪湧電阻器的最佳替代品。
細節 添加到詢問車抗突波膜層晶圓電阻 2W 10Kohm 5%
SRM201J10K0TKZTR2K5
抗突波膜層晶圓電阻2W 5.1Kohm 5%採用薄膜技術設計，具有出色的抗浪湧能力，受益於MELF封裝，它的散熱性極佳。通過AEC-Q200認證，抗硫化。它是任何其他浪湧電阻器的最佳替代品。
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SRM201J100KTKZTR2K5
抗突波膜層晶圓電阻2W 100Kohm 5%採用薄膜技術設計，具有出色的抗浪湧能力，受益於MELF封裝，它的散熱性極佳。通過AEC-Q200認證，抗硫化。它是任何其他浪湧電阻器的最佳替代品。
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抗突波繞線晶圓電阻 1W 62ohm 5%
SWM100J62R0TKZTR2K5
抗突波繞線晶圓電阻 1W 62ohm 5%是通過將Nichrome線繞在優質陶瓷棒上製成的，它可以長期在高溫環境中穩定工作。抗突波繞線晶圓電阻用於要求抗浪湧和功耗的電氣設備中。多國專利正在審批中。
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SWM100J100RTKZTR2K5
抗突波繞線晶圓電阻 1W 100ohm 5%是通過將Nichrome線繞在優質陶瓷棒上製成的，它可以長期在高溫環境中穩定工作。抗突波繞線晶圓電阻用於要求抗浪湧和功耗的電氣設備中。多國專利正在審批中。
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SWM100J1K00TKZTR2K5
抗突波繞線晶圓電阻 1W 1Kohm 5%是通過將Nichrome線繞在優質陶瓷棒上製成的，它可以長期在高溫環境中穩定工作。抗突波繞線晶圓電阻用於要求抗浪湧和功耗的電氣設備中。多國專利正在審批中。
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