抗突波繞線低溫熔斷電阻器及其製造方法簡介 | 第一電阻電容器股份有限公司

第一電阻的抗突波繞線低溫熔斷電阻器及其製造方法簡介. 超過56年電阻設計與生產經驗. 第一電阻(Firstohm)成立於1969年,專營生產製造晶圓貼片電阻器(MELF Resistors)並成為全球少數有技術能力製造圓柱貼片電阻(MELF Resistors)的領導廠商

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抗突波繞線低溫熔斷電阻器及其製造方法

超過56年電阻設計與生產經驗

抗突波繞線低溫熔斷電阻器及其製造方法

隨著電源系統朝向高功率密度、高可靠度及高安全性發展,保護元件已成為電子設備設計中不可或缺的重要環節。第一電阻(Firstohm)所開發的「抗突波繞線快速熔斷電阻器及其製造方法」專利技術,成功整合了抗突波能力與快速熔斷保護機制,使單一元件同時具備電阻功能、浪湧耐受能力及異常電流保護能力。
本專利技術(I637420)透過創新的低熔點連接導線設計,在維持繞線電阻高突波承受能力的同時,當系統發生過載、短路或異常電流時,可快速執行熔斷保護,有效提升電路安全性與系統可靠度。


核心專利資訊
專利名稱 抗突波繞線低溫熔斷電阻器及其製造方法
專利類型 台灣發明專利
專利號 I637420
申請日 2017年6月29日
公告日 2018年10月1日
專利權人 第一電阻電容器股份有限公司
發明人 李尚祐
技術領域 熔斷電阻器、抗突波保護元件、電源保護技術
技術挑戰

在工業電源供應器、工業設備及電子產品中,熔斷電阻器通常兼具限流與保護功能。然而傳統熔斷電阻器往往面臨以下挑戰:

  • 熔斷反應速度不足
  • 異常電流持續造成後端元件損壞
  • 抗突波能力與熔斷特性難以兼顧
  • 保護元件設計空間受限

因此,市場對於兼具高浪湧耐受能力與快速熔斷保護能力的元件需求持續增加。

專利技術核心

本專利於絕緣棒上設置雙段繞線結構,並透過特殊設計之低熔點連接導線進行電性連接。

在正常工作狀態下,電流可穩定流經繞線電阻結構;當發生異常過電流時,低熔點連接導線將優先受熱熔斷,迅速切斷電流路徑,避免故障能量持續傳遞至後端電子元件。

此設計使元件同時具備:

  • 高突波承受能力
  • 快速熔斷保護能力
  • 穩定的電阻特性
  • 更高的系統安全性
技術優勢
  • 抗突波與熔斷雙重保護:結合繞線電阻優異的浪湧耐受特性與低溫快速熔斷機制,兼顧系統穩定性與安全性。
  • 快速異常保護:低熔點連接導線可於異常條件下優先熔斷,降低故障能量對後端電路的影響。
  • 提升系統可靠度:將保護機制集中於預設區域,有效降低不可預期的元件失效風險。
  • 簡化電路設計:單一元件即可兼具限流、抗突波及熔斷保護功能,有助於減少系統元件數量與設計複雜度。
  • 強化產品安全性:有利於電源產品、工業設備及電子裝置進行安全設計與可靠度驗證。
應用領域

本專利技術特別適用於高可靠度及安全保護需求之電子系統,包括:

  • 工業電源供應器(Industrial Power Supply)
  • 工業控制設備(Industrial Control Equipment)
  • 通訊設備(Communication Equipment)
  • 電力電子模組(Power Electronics Modules)
  • 新能源設備
  • 電動車充電系統
  • 馬達驅動與保護系統
客戶價值
客戶需求 技術價值
提升設備安全性 快速熔斷保護異常電流
增加浪湧耐受能力 保留繞線電阻抗突波優勢
降低系統失效風險 避免故障能量持續傳遞
簡化保護設計 整合限流與保護功能
提升產品可靠度 強化關鍵保護機制
技術摘要

第一電阻發明專利「抗突波繞線低溫熔斷電阻器及其製造方法」(TW I637420 B),透過創新的低熔點連接導線結構設計,成功結合繞線電阻優異的抗突波能力與快速熔斷保護特性。此技術可有效提升電子設備在異常電流條件下的保護能力,降低系統損壞風險,並為高可靠度電源保護應用提供更完善的解決方案。

Firstohm 技術承諾

第一電阻自1969年成立以來,持續專注於高可靠度電阻技術研發與創新,致力於提供兼具品質、可靠度與安全性的產品解決方案。透過持續投入專利技術開發與製程創新,我們協助全球客戶打造更安全、更穩定且更具競爭力的電子產品。

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抗突波繞線可熔斷晶圓電阻規格書
抗突波繞線可熔斷晶圓電阻規格書

SWMT是貼片式繞線電阻,由於具有抗浪湧與熔斷功能,即便與國外電阻品牌相比也是業界少見、首屈一指

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第一電阻公司簡介

第一電阻電容器股份有限公司是台灣一家專業在電阻器生產製造的製造服務商. 成立於西元1969年並擁有超過56年的晶圓電阻,貼片電阻,金屬膜電阻,浪湧電阻,繞線電阻,精密電阻,高壓電阻,功率電阻,氧化金屬膜,高頻電阻,薄膜電阻,固定電阻製造經驗, 第一電阻總是可以達到客戶各種品質的要求.