抗突波绕线低温熔断电阻器及其制造方法简介 | 第一電阻電容器股份有限公司

第一電阻的抗突波绕线低温熔断电阻器及其制造方法简介. 超过56年电阻设计与生产经验.第一電阻(Firstohm)成立于1969年,专营生产制造晶圆贴片电阻器(MELF Resistors)并成为全球少数有技术能力制造圆柱贴片电阻(MELF Resistors)的领导厂商

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抗突波绕线低温熔断电阻器及其制造方法

超过56年电阻设计与生产经验

抗突波绕线低温熔断电阻器及其制造方法

随着电源系统朝向高功率密度、高可靠度及高安全性发展,保护元件已成为电子设备设计中不可或缺的重要环节。第一電阻(Firstohm)所开发的「抗突波绕线快速熔断电阻器及其制造方法」专利技术,成功整合了抗突波能力与快速熔断保护机制,使单一元件同时具备电阻功能、浪涌耐受能力及异常电流保护能力。
本专利技术(I637420)透过创新的低熔点连接导线设计,在维持绕线电阻高突波承受能力的同时,当系统发生过载、短路或异常电流时,可快速执行熔断保护,有效提升电路安全性与系统可靠度。


核心专利资讯
专利名称 抗突波绕线低温熔断电阻器及其制造方法
专利类型 台湾发明专利
专利号 I637420
申请日 2017年6月29日
公告日 2018年10月1日
专利权人 第一電阻電容器股份有限公司
发明人 李尚佑
技术领域 熔断电阻器、抗突波保护元件、电源保护技术
技术挑战

在工业电源供应器、工业设备及电子产品中,熔断电阻器通常兼具限流与保护功能。然而传统熔断电阻器往往面临以下挑战:

  • 熔断反应速度不足
  • 异常电流持续造成后端元件损坏
  • 抗突波能力与熔断特性难以兼顾
  • 保护元件设计空间受限

因此,市场对于兼具高浪涌耐受能力与快速熔断保护能力的元件需求持续增加。

专利技术核心

本专利于绝缘棒上设置双段绕线结构,并透过特殊设计之低熔点连接导线进行电性连接。

在正常工作状态下,电流可稳定流经绕线电阻结构;当发生异常过电流时,低熔点连接导线将优先受热熔断,迅速切断电流路径,避免故障能量持续传递至后端电子元件。

此设计使元件同时具备:

  • 高突波承受能力
  • 快速熔断保护能力
  • 稳定的电阻特性
  • 更高的系统安全性
技术优势
  • 抗突波与熔断双重保护:结合绕线电阻优异的浪涌耐受特性与低温快速熔断机制,兼顾系统稳定性与安全性。
  • 快速异常保护:低熔点连接导线可于异常条件下优先熔断,降低故障能量对后端电路的影响。
  • 提升系统可靠度:将保护机制集中于预设区域,有效降低不可预期的元件失效风险。
  • 简化电路设计:单一元件即可兼具限流、抗突波及熔断保护功能,有助于减少系统元件数量与设计复杂度。
  • 强化产品安全性:有利于电源产品、工业设备及电子装置进行安全设计与可靠度验证。
应用领域

本专利技术特别适用于高可靠度及安全保护需求之电子系统,包括:

  • 工业电源供应器(Industrial Power Supply)
  • 工业控制设备(Industrial Control Equipment)
  • 通讯设备(Communication Equipment)
  • 电力电子模组(Power Electronics Modules)
  • 新能源设备
  • 电动车充电系统
  • 马达驱动与保护系统
客户价值
客户需求 技术价值
提升设备安全性 快速熔断保护异常电流
增加浪涌耐受能力 保留绕线电阻抗突波优势
降低系统失效风险 避免故障能量持续传递
简化保护设计 整合限流与保护功能
提升产品可靠度 强化关键保护机制
技术摘要

第一電阻发明专利「抗突波绕线低温熔断电阻器及其制造方法」(TW I637420 B),透过创新的低熔点连接导线结构设计,成功结合绕线电阻优异的抗突波能力与快速熔断保护特性。此技术可有效提升电子设备在异常电流条件下的保护能力,降低系统损坏风险,并为高可靠度电源保护应用提供更完善的解决方案。

Firstohm 技术承诺

第一電阻自1969年成立以来,持续专注于高可靠度电阻技术研发与创新,致力于提供兼具品质、可靠度与安全性的产品解决方案。透过持续投入专利技术开发与制程创新,我们协助全球客户打造更安全、更稳定且更具竞争力的电子产品。

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抗突波绕线可熔断晶圆电阻规格书
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第一電阻公司简介

第一電阻電容器股份有限公司是台湾一家专业在电阻器生产制造的制造服务商. 成立于西元1969年并拥有超过56年的晶圆电阻,贴片电阻,金属膜电阻,浪涌电阻,绕线电阻,精密电阻,高压电阻,功率电阻,氧化金属膜,高频电阻,薄膜电阻,固定电阻制造经验,第一電阻总是可以达到客户各种品质的要求.