2026年春季电子报
探讨800V HVDC 架构下的AI 伺服器：泄放电阻的关键角色
随着生成式AI 运算需求呈现爆发式成长，全球资料中心正加速转向800V HVDC(高压直流)架构。此架构不仅能有效降低电流损耗并提升整体能效，更可支撑新世代AI GPU与加速器的高功率运算需求。在追求卓越能效的同时，系统安全与长效可靠度成为设计者的首要挑战。在800V 高压系统中，**泄放电阻（Discharge / Bleeder Resistor）**虽为被动元件，却是确保系统安全与稳定运行的核心守门员
2026年慕尼黑电子展
★ 2026年4月8日~4月10日慕尼黑印度电子展
日期： 2026年4月8日~ 4月10日
地点： 印度德里(大诺伊达) 展览中心
展位号码： H10.F31
★ 2026年7月1日~7月3日慕尼黑上海电子展
日期： 2026年7月1日~ 7月3日
地点： 上海新国际博览中心
展位号码： N2.300
我们将展示最新的MELF 电阻技术以及针对预充/泄放电阻的最佳解决方案，诚挚邀请您莅临指导。
为什么AI 伺服器走向800V HVDC？
相较于传统AC 或48V 架构，800V HVDC 具备多项优势：
- 降低电流、减少线损，提升整体能效
- 支援高功率AI GPU / Accelerator，满足新世代运算需求
- 简化电源转换级数，提高系统可靠度
随着电压与功率持续提升，泄放电阻已不只是被动元件，而是确保资料中心安全与稳定的关键设计之一。
在AI 伺服器电源模组与HVDC 系统中，泄放电阻扮演着不可或缺的角色：
- 快速释放残余电压，确保系统在安全时间内回到可接触状态
- 提升整体系统安全性，符合国际安规与资料中心设计规范
- 稳定电压状态，守护AI 伺服器长时间运作的可靠性
针对AI 伺服器与HVDC 电源应用，高可靠度的高压、抗浪涌电阻，已广泛应用于：
- AI 伺服器电源模组（PSU）
- HVDC 配电柜与电力分配架构
- DC-Link 电容器放电回路
- 能源储存(ESS)与备援电源系统(BBU)
其设计核心在于安全、稳定与长期可靠运作，为AI 资料中心打造坚实的电源基础。
第一電阻解决方案：SRM系列抗突波膜层柱状贴片电阻
针对800V HVDC 系统的严苛要求，第一電阻提供精确的选型建议与高性能产品。
针对800V HVDC系统的泄放电阻时，电容值与放电时间是决定电阻选型与配置方式的关键因素。
放电能量计算公式：(以800V / 60µF 为例)
考虑放电时间与功率分散，建议采用4颗电阻串联，每颗需承受约5J 能量
推荐产品：SRM301系列
- 型号：SRM301（3W）
- 尺寸：4.0 × 10.5 mm
- 阻值：1K5Ω ±5%，4 颗串联
- 充放电1000 次后，电阻变化率△R = 0.035%（PASS）)
SRM301 产品特色：
- 高脉冲、浪涌耐受能力，适合瞬间放电应用
- 适用于高温、高湿、高压环境
- 通过德国VDE安规认证
- 小型化、贴片化，利于模组整合
第一電阻-SRM抗突波膜层柱状贴片电阻系列规格如下 :
若您对800V 系统应用或SRM 系列产品有任何技术咨询需求，欢迎联系您的专任业务代表，或透过以下方式与我们联系：📧 Email：qrc@firstohm.com🌐 官方网站：www.firstohm.com
感谢您对第一電阻的持续支持！
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汽車級抗突波膜層晶圓電阻 3W 1.58Kohm 1%是由薄膜技術設計而成，具有出色的抗浪湧能力，由於使用圓柱型封裝,它的散熱性極佳,通過AEC-Q200認證,抗硫化,SRM系列可以做為任何其它抗浪湧電阻器的最佳替代品(包括歐美廠牌)
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