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我们在此向大家公布第一電阻最近的活动或重要事项,非常感谢您的阅读与宝贵的时间。
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抗突波绕线可熔断电阻通过多国专利申请
31 Jan, 2019抗突波绕线可熔断电阻(SWAT/SWMT)通过绕线接点强化专利,专利编号如下: 大陆专利编号: 4743603 台湾专利编号: I637420 日本专利编号: 6836669 美国专利编号: US10170266B2
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抗突波绕线可熔断电阻(SWAT/SWMT)通过绕线接点强化专利,专利编号如下: 大陆专利编号: 4743603 台湾专利编号: I637420 日本专利编号: 6836669 美国专利编号: US10170266B2
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