抗浪湧電阻,高脈衝負載電阻
充放電/抗突波電阻
材質分為繞線或是薄膜電阻兩種，封裝可分為晶圓電阻或是插件電阻
充放電抗突波電阻(抗浪湧電阻器)均為圓柱形，並由優質陶瓷棒製成。 與晶片電阻器相比，它可以有效地散熱，承受更高的脈衝負載，並具有更高的功耗。第一電阻的抗浪湧電阻可同時支持薄膜和金屬合金繞線電阻器。抗浪湧電阻器可分為以下10類，有關更多信息，請參見以下內容。
耐突波型金屬膜晶圓電阻 - MM(P)
耐突波型金屬膜晶圓電阻 - MM(P)系列，功率範圍從0.16W至0.5W，阻值範圍從0.1Ω至330KΩ，比傳統片式貼片電阻器具有更出色的抗脈衝能力和出色的散熱性能，特殊的柱狀機械結構可以耐振動和熱衝擊，長時間操作穩定性較佳。
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突波抑制插件電阻 - MSD
突波抑制插件電阻（MSD系列）的額定功率為0.25W至6W，電阻範圍為100mΩ至1MΩ，是線繞電阻器的低成本替代產品。電阻是在高級陶瓷基材上使用特殊複合薄膜製成，符合防火等級UL...
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突波防護插件電阻 - PPR
突波防護插件電阻(PPR系列)的額定功率範圍為0.25W至2W,電阻範圍為2.2Ω至4.7MΩ,提供比碳電阻器更好的性能。 沒有高浪湧引起的“燒結效應”,因此不會大大降低電阻值,PPR系列可以取代碳膜電阻器,外表使用多層不易燃塗層。
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脈衝負載晶圓電阻- PVM
脈衝負載晶圓電阻(PVM)的額定功率為0.4W至1W，電阻範圍為300KΩ至10MΩ，電阻公差分別為±1％和±5％，可使用表面黏著技術(SMT)打件過錫爐，特殊設計的薄膜可承受比一般電阻更高的工作電壓，並具有優異抗浪湧功能。MELF封裝因使用圓柱形陶瓷芯，不容易受到熱應力扭曲，致使陶瓷芯斷裂，又因為圓柱狀結構的表面積是片式貼片的3倍多大，有足夠的散熱體積，因此具有熱阻低、散熱快等優點。
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抗突波膜層晶圓電阻 - SRM
抗突波膜層晶圓電阻的額定功率為0.25W至3W，電阻範圍為0.1Ω至2.2MΩ，優點在與其他品牌繞線電阻器相比,抗突波膜層晶圓電阻有緊密的公差，範圍在±1％〜±5％，允許最大浪湧電壓高達10KV，在浪湧電流或環境浪湧損壞方面具有更高的性能。通過AEC-Q200認證，抗硫化，適合表面黏著技術的外形結構，且尺寸與扁平芯片電阻相同，通過VDE安規測試規範與認證...
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抗突波繞線晶圓電阻 - SWM
抗突波繞線晶圓電阻（SWM系列）的額定功率範圍為1W至4W。 電阻範圍為1Ω至1.2KΩ。符合AEC-Q200規範，可使用表面黏著技術過錫爐打件，散熱性優於片式電阻器，圓柱型結構擁有較強的機械結構，可以抗振動和耐熱衝擊，增強繞線焊接點的結構強化，產品符合RoHS要求，並且不含歐洲化學品管理局禁止的高度關注的物質，抗突波繞線晶圓電阻適用於高浪湧應用，例如功率電容器的高浪湧電流保護，電機啟動保護，汽車和摩托車發動機點火等，以吸收有害的浪湧能量，從而避免了由浪湧能量引起的電路損壞危險。 抗突波繞線晶圓電阻已經獲得以下專利授權： 台灣專利號：M530462 日本專利號：3208923 大陸專利號：ZL201490001291.X...
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抗突波繞線晶圓電阻X系列 - SWMX
抗突波繞線晶圓電阻X系列（SWMX）額定功率為1W，電阻範圍為1歐姆至150歐姆，公差為±5%。 SWMX系列應用於電容器充放電保護、馬達起動保護、電動車、再生能源儲存等等具有突波的應用中，電阻可以吸收有害的突波能量，從而防止電路因突波所造成損壞的危險。該電阻採用圓柱形結構，且一樣是貼片式的SMD電阻，但卻比長方形貼片電阻具有更好的散熱性能，並且機械結構更堅固，可以承受振動和熱衝擊。電極經過增強焊點，對抗突波更加可靠。...
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抗突波繞線可熔斷晶圓電阻 - SWMT
抗突波繞線可熔斷晶圓電阻（SWMT系列）的額定功率為1W至4W，電阻範圍為1Ω至470Ω,，透過特殊處理將合金線與帽蓋的焊點強化，使電阻能夠承受更大的浪用衝擊，電阻中增加保險絲功能，因此能夠適用於大功率快速熔斷的應用，此種抗浪湧和快速熔斷組合的結構，大幅領先同業，散熱性優於片式貼片電阻，圓柱型結構更能夠抗震和耐熱衝擊，符合UL...
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抗突波繞線可熔斷插件電阻 - SWAT
抗突波繞線可熔斷插件電阻（SWAT系列）的額定功率範圍為1W至3W，電阻範圍為1Ω至470Ω，透過特殊處理將合金線與帽蓋的焊點強化，使電阻能夠承受更大的浪用衝擊，更加適用於大功率的快速熔斷需求，領先同業的抗浪湧和快速熔斷功能結合在同一電阻器上，外表保護漆符合UL94V-0的防火多層塗層結構，內含熔斷功能可防止電子產品過熱引起的意外災害，熔斷性能等同於通過UL1412測試，符合RoHS...
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